从6英寸、8英寸、12英寸到14英寸碳化硅单晶材料，一组不断突破的尺寸数字，不仅是山西天成半导体材料有限公司技术进阶的“进度条”，更是其自主攻关的坚实足迹。自2021年成立以来，山西天成用5年时间、4个台阶的技术跨越，生动诠释了不畏艰险、独立自主、久久为功的奋斗底色。

自主攻关之路，从无坦途。走进山西天成生产车间，轰鸣声不绝于耳。数十台3米高的机器整齐排列，几名身穿蓝色防护服的工作人员站在显示屏前，一边仔细观察，一边记录着各项参数。屏幕上，温度、压力等数字不断跳动。此刻，密闭的机器内，晶锭在“生长”。这是一场持续15天的“生长”，更是一场不容分毫差错的攻坚战，每一步都需要精益求精。

每一个晶锭的“生长”，都是一场对毅力的考验。炉内温度高达2000多摄氏度，高纯碳化硅粉料被加热成为气体，在精密的温度梯度和流场双重控制下，气化碳原子和硅原子在籽晶上缓缓结晶。“看不见，摸不着，整个过程就像蒙眼绣花。”山西天成科技副总仝晓刚打了个比方，“我们只能靠炉外的参数进行‘盲操作’，温度稍有偏差，晶体就会有缺陷，几百个小时就白费了。”天成团队以坚韧不拔的意志，在无数次失败中，耐住寂寞、顶住压力，在反复打磨中，攻克晶体“生长”的一个个难题。

碳化硅被誉为功率半导体皇冠上的明珠，是新能源汽车、光伏、AI芯片等领域不可或缺的关键材料。碳化硅单晶“生长”装备被誉为第三代半导体产业的“芯片摇篮”，其技术门槛极高，尤其是大尺寸、低缺陷晶体的制备长期被国外垄断，核心设备买不来，关键技术也要不到。

前路受阻，那就自力更生，攻坚突围。天成决定自己造炉子。

“眼前的这些机器，就是我们自主研发的碳化硅单晶晶体‘生长’装备，在星火创业大赛总决赛获全国三等奖，在‘创客中国’山西省中小企业创新创业大赛、第十五届中国创新创业大赛山西赛区分获一等奖。”仝晓刚指着眼前的机器自豪地说，碳化硅单晶苛刻的“生长”条件是对装备的最大考验。一炉炉试验，一次次改进，最终，这套装备将温度控制精度提升至±1℃，达到国际领先水平。

如今，山西天成从碳化硅单晶炉制造，到长晶配套设备、碳化硅粉料制备、石墨热场加工，再到碳化硅单晶生长，已经全面具备从设备到材料的系统性供应实力。

技术的沉淀转化为质的跨越：2022年，完成6英寸技术验证；2024年，实现8英寸装备规模化量产；2025年，攻克12英寸导电型与高纯半绝缘型“双路线”核心技术；2026年，率先发布14英寸碳化硅单晶产品。山西天成以坚韧执着完成了从跟随研发到大尺寸技术领跑的关键转变，跻身国内第一梯队。

但这一切，不是终点。此时，车间里的机器仍在运转，显示屏上的参数不断跳动。新时代的长征精神，伴随着每一次技术突破，在这里赓续传承、开花结果。